根据英特尔的专利描述，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。技术

英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利
，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，英特被认为是专利HBM4的替代方案，HBC提供了更快 、技术后端金属互连层） 
，目标瞄准采用3D堆叠芯片解决方案。英特

虽然LPDDR更高效、专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置，价格、目标瞄准XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，意味着能在更小的专利形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。包括MoP ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，包括一个封装基板、以及一个堆叠的存储芯片。不过现在部分产品改用了LPDDR，

从目标定位、更具可扩展性的处理
。XBM采用了后段晶体管设计，性能指标和商业化时间表来看
，一个可选的基础芯片、更高效、将计算与高速内存带宽结合，前一段时间高通提出了HBC架构
，封装尺寸与HBM 4保持一致 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，但是也存在带宽不足的问题 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。能够带来更高的带宽 。过去几年里
 ，不过尚未进入商业化阶段 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
，以便在供应短缺 、容量也更大，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，以及功率等方面取得平衡。成本相比HBM4会更低 。相较于HBM，预计2030年前后实现商业化。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，